基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法

本申请实施例提供了一种基于半导体工艺的混合式感应接近传感器及其制造方法，混合式感应接近传感器包括：平面感应线圈和电子芯片，平面感应线圈为通过光刻与电镀工艺在基板上形成的铜质线圈结构，平面感应线圈集成有多段同心环状子线圈，多段同心环状子线圈用于分段测量目标物体引起的磁场梯度变化；电子芯片集成有振荡器电路，振荡器电路包括具有串联正负温度系数电阻组合的电感支路、具有并联可调电阻的电容支路，以及动态调节延迟的比较器单元；混合式感应接近传感器的封装结构包括通过载板与电子芯片倒装互连的基板，表面覆盖保护层；混合式感应接近传感器的封装前处理包括焊盘微加工、气体保护回流焊及复合胶缓冲层。