半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备

本发明公开了一种半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体激光器温度控制方法包括：获得半导体激光器的芯片的各位置的第一温度值以及环境温度；设置PID参数，并基于所设置的PID参数确定加热电阻的加热功率；将所述加热功率、所述第一温度值和所述环境温度输入预先建立的能量平衡模型，得到所述能量平衡模型输出的各位置的第二温度值；判断所述第二温度值与第一温度值是否符合预设的收敛条件；若符合所述收敛条件，则输出所述PID参数，并基于所输出的PID参数控制所述加热电阻对所述半导体激光器加热。应用本发明实施例提供的方案能够对控制半导体激光器的温度。