一种拉制低氧单晶硅的方法

本发明公开了一种拉制低氧单晶硅的方法，具体涉及单晶硅生长技术领域，包括S1、工艺中调整埚转速度，S2、工艺中优化氩气流量，S3、工艺中降低炉压，S4、工艺中炉压参数改为变炉压拉晶，S5、工艺参数中调整晶转参数。本发明能够降低单晶硅中的氧含量，提高晶体品质，提高引晶和放肩的成活率，降低等径中杂质的吸收，实时监控和自动调整工艺参数，提高生产效率和产品质量，通过多尺度模拟和机器学习算法，优化生长工艺，确保最优生长条件。