一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法

申请号：CN202410954688

申请日期：2024-07-17

公开号：CN118776399A

公开日期：2024-10-15

类型：发明专利

摘要

一种触发式点火半导体桥芯片的制作方法，属于火工品技术领域。结构包括：硅衬底，桥区，重掺杂多晶硅，金属电极层。方法包括：（1）多晶硅厚度的确定方法；（2）解决光刻胶锯齿的方法；（3）超厚多晶硅厚度的刻蚀方法；（3）超厚金属电极层的刻蚀方法。解决了现有SCB火工品H桥中难以实现超厚多晶硅薄膜、超厚金属电极层刻蚀困难的问题。可广泛应用于SCB火工品火半导体桥芯片的制备中。

技术关键词

半导体桥芯片多晶硅厚度金属碳化物纳米粒子金属硫化物纳米粒子光刻胶金属氧化物纳米粒子光刻曝光底部抗反射涂层金属纳米粒子显影液金属电极层顶部抗反射涂层表面涂布金属氮化物刻蚀方法碱性刻蚀液