一种芯片真空镀膜方法及装置

本申请涉及芯片镀膜技术领域，具体涉及一种芯片真空镀膜方法及装置，该方法包括：芯片真空镀膜过程中，将镀膜腔体中的空气抽出，达到所需真空压强后，PLC发送指令到芯片蒸镀系统的坩埚控制系统的驱动器，驱动步进电机带动工作台进行移动，实现蒸镀材料的加注；利用电子束蒸发蒸镀材料，在芯片上凝结形成薄膜；所述所需真空压强的调整方法为：获取各采集时刻的腔体温度参数和腔体真空压强参数；获取各检测区间，确定各检测区间中各压强突变参数的真空异常系数和各温度突变参数的温度异常系数；确定各检测区间的关联异常因子和镀膜异常因子；调整镀膜腔体中的真空压强。本申请旨在保障芯片真空镀膜的稳定性与镀膜质量。