一种电化学原位表征晶体生长界面面积变化的方法及系统

本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种电化学原位表征晶体生长界面面积变化的方法及系统，包括以下具体步骤：在提拉法生长晶体过程中，实时测量籽晶到盛有熔体的坩埚之间的阻抗，得到该生长阶段下的电化学阻抗谱；将测量的电化学阻抗谱进行等效电路拟合，得到其对应电路元件的拟合参数并计算其生长界面的等效电容；基于等效电容值，通过平行板电容器模型计算晶体生长界面面积。本发明解决了现有技术不适用于晶体生长界面监测的问题，且具有精度高，无损检测，不妨碍晶体生长，流程简单，成本可控的特点。