一种计算和访存总延迟模拟方法及相关装置

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一种计算和访存总延迟模拟方法及相关装置
申请号:CN202510102889
申请日期:2025-01-22
公开号:CN120011192A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本申请属于一种模拟评估方法,针对现有计算和访存总延迟的模拟方法进行大量不必要的依赖检查,以及输入不同时模拟效率和模拟速度低的技术问题,提供一种计算和访存总延迟模拟方法及相关装置,在每个张量的访存时间和访存顺序,以及每个计算片的时间已知的情况下,将DRAM访存在每个计算片上分为自由加载/存储阶段和依赖性检查阶段两个阶段执行,然后依据自由加载/存储阶段和依赖性检查阶段模拟DRAM FIFO行为,并记录对应的存储占用,用以进行计算和访存总延迟快速评估。为优化神经网络的设计和执行提供了重要的性能指标,有助于了解实际的硬件设计和算法优化。
技术关键词
阶段 计算机程序代码 模拟评估方法 标识符 优化神经网络 输出特征 可读存储介质 处理器 模拟系统 电子设备 存储器 模块 关系 指令 数据 算法 基础 速度