一种低测试逃逸率的晶圆接受测试方法
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一种低测试逃逸率的晶圆接受测试方法
申请号:
CN202510140944
申请日期:
2025-02-08
公开号:
CN120015644B
公开日期:
2025-08-01
类型:
发明专利
摘要
本发明公开一种低测试逃逸率的晶圆接受测试方法,该方法具体如下:(1)从WAT电气参数中找出当前批次中对测试逃逸率影响大的关键WAT电气参数;(2)在对当前批次的测试晶圆进行晶圆接受测试时,测试待测晶圆上各晶粒的关键WAT电气参数,基于关键WAT电气参数进行异常晶粒的检测。先评估WAT电气参数特征对逃逸率的重要性,进位确定对逃逸率影响较大的关键WAT电气参数,对当前批次的待测晶圆仅测试关键WAT电气参数,不影响晶圆检测的逃逸率的同时,极大的降低待测晶圆的检测任务量。
技术关键词
检测点
电气
参数
测试方法
邻域
晶圆
识别方法
算法
动态
间距