融合边缘特征的芯片缺陷检测模型训练方法和检测方法

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融合边缘特征的芯片缺陷检测模型训练方法和检测方法
申请号:CN202510190162
申请日期:2025-02-20
公开号:CN120125887A
公开日期:2025-06-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及缺陷检测技术领域,公开了一种融合边缘特征的芯片缺陷检测模型训练方法和检测方法,该芯片缺陷检测模型训练方法包括:对YOLOv11神经网络模型进行改进,构建缺陷检测模型,缺陷检测模型包括主干网络、颈部网络和头部网络,主干网络包括卷积模块和ESIC3k2模块,颈部网络包括SPFF模块、C2PSA模块、上采样模块、CWFM模块和C3k2模块,主干网络中部的ESIC3k2模块与颈部网络的CWFM模块连接,主干网络末端的ESIC3k2模块与颈部网络的SPFF模块连接,主干网络颈部网络末端的三个C3k2模块分别与头部网络连接;利用预先构建的Micro‑LED芯片缺陷数据集对缺陷检测模型进行训练,得到训练后的缺陷检测模型。本发明能够提高Micro‑LED芯片缺陷检测精度。
技术关键词
检测模型训练方法 LED芯片 卷积模块 芯片缺陷检测 融合边缘特征 加权特征 缺陷检测方法 LED阵列 输出特征 上采样 神经网络模型 通道 缺陷检测技术 光学设备 注意力 图像分割 存储器