用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质

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用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质
申请号:CN202510267351
申请日期:2025-03-06
公开号:CN119782826B
公开日期:2025-07-18
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例涉及用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质。该仿真方法由仿真模型执行,仿真模型中包括:CMP物理模型,所述CMP物理模型被配置为基于输入数据确定研磨后晶圆的表面高度的仿真值,其中输入数据包括图形特征数据以及物理信息;以及神经网络模型,所述神经网络模型是以所述仿真值作为训练样本进行训练而生成的,被配置为在所述CMP物理模型的仿真过程中对多组输入数据进行并行预测以生成对应于所述多组输入数据的研磨后晶圆的表面高度的多个预测值,分别作为所述表面高度的相应仿真值。本公开的技术方案能够显著加速CMP物理模型的建立和仿真过程,减少时间耗费,并且能够提高仿真精度。
技术关键词
神经网络模型 机械抛光 仿真模型 物理 数据 沟槽结构 仿真方法 半导体器件 设备执行动作 长尾效应 随机梯度下降 电子设备 可读存储介质 图形处理器 参数 生成特征 生成方法 晶圆 研磨液