半导体封装结构及其形成方法
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半导体封装结构及其形成方法
申请号:
CN202510489431
申请日期:
2025-04-18
公开号:
CN120834106A
公开日期:
2025-10-24
类型:
发明专利
摘要
本发明提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括一个半导体芯片和一个导电粘合层。半导体芯片包括一个半导体基底、一个半导体器件和一个通孔。半导体基底具有第一表面和第二表面。半导体器件形成在半导体基底的第一表面上。通孔以这样一种方式形成,即它穿过半导体基底。导电粘合层设置在半导体基底的第二表面上。通孔与导电粘合层耦合。
技术关键词
半导体封装结构
半导体基底
半导体芯片
半导体器件
引线框架
通孔
半导体晶圆
导电垫
导电层
互连结构
导电线
半导体设备
半导体基板
导电胶层
电源
信号