基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法及系统
申请号:CN202510677116
申请日期:2025-05-26
公开号:CN120194914B
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种基于相位重构的Micro‑LED阵列测量方法及系统,涉及微发光二极管显示技术领域,该方法包括首先获取待测Micro‑LED阵列的焦面图像及多个离焦面图像,接着利用相位重构模型对这些图像进行相位重构,获得出光面的光场信息,再基于光场信息构建幅频分布,得到不同出光角度的光强分布评估图,最后基于焦面图像与光强分布评估图,得出包括出光角度、发光强度占比及光强均匀性等测量信息。本发明能够快速、准确、高效地检测Micro‑LED阵列的出光角度、发光强度及光强均匀性,适用于大规模批量检测,提高了测量的精确性和可靠性,且可广泛应用于其他发光半导体材料的测量。
技术关键词
LED阵列
聚焦透镜
光强
测量方法
重构模型
图像传感器
误差修正模型
物镜
多项式
微发光二极管显示
发光半导体材料
参数
平台
像素
坐标系
传播算法
发光单元