摘要
本发明公开了本发明涉及封装技术领域,特别是一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块,上DBC板和下DBC板之间设置有SiC MOSFET芯片和二极管芯片,SiC MOSFET芯片、二极管芯片底端分别通过焊料层与下DBC板连接,SiC MOSFET芯片、二极管芯片顶端分别通过焊料层与导电片连接,导电片通过焊料层与上DBC板连接。本发明的两块DBC板和缓冲导电片实现模块内各部分电气连接,使得模块整体封装结构得到简化;通过两块DBC板表面设置的覆铜层实现SiC MOSFET和二极管芯片的双面散热,有效解决高频工况下SiC芯片的热流集中的问题,通过系统耦合电流均衡与双面散热能力,解决模块高频工况下"热‑电应力"耦合问题,使模块具有多单元自均流,高频开关应力抑制与均衡及提升功率密度的优势。