基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法
申请号:CN202511168288
申请日期:2025-08-20
公开号:CN120666294B
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光电阴极制造技术领域,提供基于高纯铯的光电阴极铯膜大面积均匀分子束蒸发沉积方法,采用高纯铯单质铯源并配合超高真空建立与维持技术,实现铯源长效重复使用;采用多温区梯度蒸发设计结合自适应PID算法与热耦合补偿机制,实现跨区域温度协同控制;通过热力学‑流体力学双模沉积控制策略,根据沉积速率动态切换模式,高速阶段抑制热惯性扰动,低速阶段修正粘滞阻力,保障束流密度稳定性;设计了发生器及串联的铯源室、蒸发器和喷管机构,形成连续稳定的分子束流沉积;本发明攻克了传统工艺膜层均匀性差、速率失稳及终点误判难题,可实现大面积或单次多基片的铯膜沉积,达到工业级稳定性、实验室级精度与量产级效率。
技术关键词
喷管机构
蒸发器
光电阴极
分区
沉积方法
基片
沉积室
PID算法
温度动态调控
耦合补偿器
光电流
密度
功率
速率
双模控制器
斯托克斯方程
超高真空环境
微调阀
发生器
分子