一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法

本发明涉及压力传感器技术领域，具体涉及一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法，耐高温压阻式压力传感器芯片包括：器件层、埋氧层、支撑层以及密封基底层，支撑层上依次设置有埋氧层、器件层；其中，器件层包括：压阻器和导线，压阻器和导线设置于埋氧层上，导线上设置有金属焊盘；压阻器和导线采用掺杂浓度大于1014cm‑3的P型硅材料或者N型硅材料；其中，密封基底层和器件层连接且两者之间形成参考压力腔，或者密封基底层和支撑层背离器件层的一侧连接且两者之间形成参考压力腔。本发明提高了耐高温压阻式压力传感器芯片的加工效率，同时提高了芯片在高温环境下的电学稳定性。