Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器

本申请提供了一种Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器，属于红外焦平面阵列芯片领域；解决了现有技术台面刻蚀深度较深导致红外焦平面阵列芯片的表面漏电流较大的问题；该方法包括以下步骤：外延材料生长和清洗；硬掩膜沉积、台面光刻和刻蚀：在硬掩膜上通过光刻技术得到需要的台面图形，然后刻蚀外延材料，将外延材料刻蚀出台面图形，台面图形包括上电极区域和下电极区域，将上电极区域刻蚀到势垒层与吸收区边界，将下电极区域刻蚀到下欧姆接触层；制作金属电极；在金属电极上制作连接件与读出电路连接，完成红外焦平面阵列芯片的制作；本申请应用于Ⅱ类超晶格中波红外探测器。