半导体老炼测试电路及方法

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半导体老炼测试电路及方法
申请号:CN202511191983
申请日期:2025-08-25
公开号:CN120779216A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体老炼测试电路及方法,属于集成电路技术领域,该半导体老炼测试电路,包括三温测试区域,待测芯片内SIP封装有互连的FPGA、Flash和DDR器件,待测芯片的内部还集成有功能老化模块,用于功能老化测试,配置接口电路和待测芯片相连,用于向待测芯片提供JTAG接口;待测芯片通过配置接口电路提供的JTAG接口与老炼系统的JTAG接口进行连接,老炼系统向待测芯片施加电应力、热应力和动态信号,激励板提供两路激励时钟信号至待测芯片的PL端与PS端的时钟管脚。通过提供与SIP封装的待测芯片相匹配的老炼测试电路进行老炼测试,将待测芯片设置在三温测试区域,减少极端温度对相关电路的测试影响。
技术关键词
待测芯片 老炼测试 老炼系统 半导体 电源管理电路 时钟管理电路 老化模块 电源接口电路 JTAG接口 测试电路 按键开关 测试方法 管脚 指示工作状态 指示灯 集成电路技术