铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
验证码登录
×
发送
登录即代表您已同意AITNT
用户协议
和
隐私政策
登录
登录成功后会自动刷新界面
AI新闻日报
AITNT公众号
AITNT交流群
搜索
未登录
首页
AI中心
退出
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI 源力市场
寻求报道
铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法
申请号:
CN202511196667
申请日期:
2025-08-26
公开号:
CN120751848B
公开日期:
2025-11-21
类型:
发明专利
摘要
本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法,可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属电极,其中p型铝镓氮层与p型氮化镓接触层中设置有台壁微纳反射结构,台壁微纳反射结构包括多个阵列分布的台壁微纳反射单元,台壁微纳反射结构通过混沌‑Jaya算法优化获得,用于提升深紫外发光二极管的光提取效率。
技术关键词
蓝宝石衬底
p型氮化镓
反射单元
反射结构
电子阻挡层
深紫外发光二极管
氮化铝缓冲层
多量子阱层
电感耦合等离子体刻蚀技术
半导体光电子器件技术
接触层
粒子
元素
金属电极
反射材料
生长氮化铝
复合结构
参数
算法