基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法

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基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法
申请号:CN202511197133
申请日期:2025-08-26
公开号:CN120703908B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于垂直微镜的光电流芯片的晶上集成与数字制造方法,包括在可驱动的微电子机械系统结构上制造基于小于1纳米粗糙度的垂直微镜的无源光学器件和有源光学器件,在水平方向上组成参数可调的具有计算、传感、通信等功能的光学芯片;在硅晶圆的顶部、底部、侧壁中的至少一个表面,采用三维‑二维图形化方法制造集成电路,得到凹凸型三维集成电路,即电学芯片;将若干片凹凸型三维集成电路通过微凸点和键合环进行键合形成微流道,若干微流道之间通过通孔连接,形成微流控单元;进行光学芯片、电学芯片及微流控单元的晶上集成,形成实现计算、传感、通信、信号处理、数据存储等复杂功能处理能力的包含基于垂直微镜的光电流芯片的晶上系统。
技术关键词
三维集成电路 微电子机械系统结构 有源光学器件 微流道 图形化方法 光电流 光学薄膜 垂直微镜 自动化测试反馈 芯片 仿真器 气体团簇离子束 金属电极 无源光学器件 聚焦离子束刻蚀 冷却液循环系统 人工智能网络 数字孪生建模 最佳工艺参数