一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法

本发明提供一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法，通过在基板上依次设置的键合层、导热层、阻挡层、保护层、反射层以及外延层，外延层包括朝远离所述基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱层以及n型GaN层，其中，阻挡层与导热层实现保护层与键合层之间的电隔离，阻挡层实现阻挡磷酸腐蚀，导热层实现多量子阱层的侧壁钝化与导热效果，缓释应力通过第一应力释放沟槽与第二应力释放沟槽实现。