表面等离子共振成像芯片及其制备方法
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表面等离子共振成像芯片及其制备方法
申请号:
CN202511228222
申请日期:
2025-08-29
公开号:
CN121027045A
公开日期:
2025-11-28
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种表面等离子共振成像芯片及其制备方法,表面等离子共振成像芯片包括基底和依次层叠设置于基底上的铬镀层、镍镀层和银镀层。制备方法包括如下步骤:提供基底;在基底上制备铬镀层;在铬镀层上制备镍镀层;在镍镀层上制备银镀层。本发明使用铬镀层、镍镀层、银镀层三层金属材料组合进行表面等离子共振成像检测,其具有较高的生化检测灵敏度;同时使用静电覆膜、放置脱氧剂和抽真空对镀层进行后处理,使镀层稳定性高,保存简单,室温下保存6个月以上仍能够维持镀层性状稳定,而且成本低廉。
技术关键词
表面等离子共振成像
镀层
基底
芯片
脱氧剂
层叠
金属材料
容器
真空
玻璃
覆膜
静电