摘要
本发明公开了一种基于动态子图特征融合的光刻热点检测方法和装置,涉及集成电路技术领域,包括:将待测光刻版图切片样本中的多边形正交切割为矩形,以各个矩形的中心点作为节点,结合各节点关联的嵌入特征构建待测图结构数据;根据待测光刻版图切片样本关联的光酸扩散长度与局部图形密度,确定子图半径;通过训练好的动态子图聚合图核卷积网络模型按照子图半径采用待测图结构数据构建各个节点的子图,并基于各子图提取特征进行热点检测,输出光刻热点检测结果。基于上述方案,采用光刻工艺参数动态划分子图半径减少经验静态假设误差,通过子图特征提取融合的方式进行可视化分解和剖析图的复杂结构增强热点检测可解释性,提升了热点检测可靠性。