支持耐高温且抗辐射的压力传感器芯片制备方法及该方法所得的芯片

本发明公开了一种支持耐高温且抗辐射的压力传感器芯片制备方法及该方法所得的芯片，利用注入工艺使该区域硅的电阻率达到设计需要的数值后，再对电桥电阻周围的氧化层进行光刻使电阻形成的电桥裸露出来，再通化学腐蚀使电桥电阻成为孤岛，再对二氧化硅层上的单晶硅进行氧化，就使单晶硅受到所有二氧化硅的包围，使最终形成的应变片或压力传感器都具有温抗、辐射、抗环境污染的结构，若配合相关结构就可使它们的工作满足在—55℃至500℃之间工作使这类应变片或压力传感器能够耐受空间高温和抗辐射的工作环境要求。