一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法

本申请提出一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法，属于半导体硅单晶制备技术领域。本方法包括以下步骤：均匀采集直拉硅单晶生长过程中硅熔体在所有时刻的温度数据，构建硅熔体温度矩阵，获取具有时间偏移关系的第一快照矩阵和第二快照矩阵；对第一快照矩阵进行奇异值分解，并确定截断秩，得到第一快照矩阵取截断秩后的奇异值分解的结果；获取第一快照矩阵和第二快照矩阵的近似关系，并将近似关系中的高维矩阵进行投影，得到低秩矩阵；对低秩矩阵进行特征分解，构建高维动态模态矩阵；构建温度预测模型；利用温度预测模型对硅熔体进行自适应温度预测。本申请能够有效提高硅熔体的温度预测效率，并保证温度预测精度。