摘要
本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，制备方法包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层作为外延层；在P型半导体层上制备N型半导体层导电台阶；在P型半导体层上制备电流扩展层；在电流扩展层上制备电流阻挡层，接着在电流阻挡层上制备电流阻挡层通孔；在电流阻挡层上制备第一半导体层；对蓝宝石衬底进行减薄，接着激光剥离减薄后的蓝宝石衬底，暴露出N型半导体层底部上的PSS；在N型半导体层底部的PSS上制备隔离槽；在N型半导体层底部的PSS上制备第二绝缘层；在第二绝缘层上制备第二绝缘层通孔，然后在第二绝缘层通孔上制备P型焊盘。
