磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统
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磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统
申请号:
CN202511418582
申请日期:
2025-09-30
公开号:
CN120895068B
公开日期:
2025-12-30
类型:
发明专利
摘要
本发明提供磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统,涉及电路设计技术领域,包括通过获取磁芯存储器参数规格并模拟生成比特线电流分布曲线,提取最大、最小电流值并划分电流调节区间,选择最高读取成功率区间的中值作为最优参考电流;进一步检测不同温度点的实际输出电流,建立温度补偿模型并设计补偿电路,最终转换为版图设计文件。本发明能精确确定最优参考电流并实现温度补偿,有效提高磁芯存储器的读取可靠性和稳定性。
技术关键词
读取成功率
随机存储器
设计补偿电路
电路设计方法
磁芯存储器
测试电流值
存储单元阵列
温度检测模块
计算机程序指令
模拟器
电路设计系统
版图
曲线
偏差
迭代优化算法