芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备
申请号:CN202511418865
申请日期:2025-09-29
公开号:CN120893327B
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种芯片数字孪生体的构建、电气参数值的预测方法、装置、介质和电子设备,所述方法包括:基于设置有目标芯片的标准设计参数的理想工艺流程进行物理仿真,以得到物理预测模型;再基于实测数据构建残差修正模型;基于所述物理预测模型与所述残差修正模型,得到所述目标芯片的数字孪生体。本申请通过物理仿真构建的物理预测模型提供可解释的物理机理基础,同时基于真实数据训练集构建的残差修正模型精准补偿非线性误差;使机器学习模型仅需聚焦于学习工艺偏差的低量级简单映射,显著降低模型构建复杂度,且提升芯片数字孪生体的预测精度。
技术关键词
芯片
预测残差
数字孪生体
电气
物理
参数
偏差
生成工艺
计算机可读代码
梯度提升决策树
栅氧化层厚度
样本
训练集
前馈神经网络
非线性误差
浅沟槽隔离
电子设备
可读存储介质
机器学习模型