晶圆缺陷杀伤率计算方法、装置、设备及存储介质

本申请涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶圆缺陷杀伤率计算方法、装置、设备及存储介质，其中方法包括：获取晶圆目标缺陷图谱与晶圆电性测试图谱，其中，所述晶圆目标缺陷图谱包括晶圆上各芯片单元缺陷的缺陷位置、缺陷类型与缺陷尺寸，所述晶圆电性测试图谱包括各芯片单元测试结果；基于预设的晶圆模板图谱，对齐所述晶圆目标缺陷图谱与所述晶圆电性测试图谱，得到重合图谱；基于所述重合图谱，确定芯片单元统计数据；基于预设的晶圆缺陷杀伤率计算公式，处理所述芯片单元统计数据，得到晶圆缺陷杀伤率。本申请便于提升晶圆缺陷杀伤率的计算效率与计算精度。