一种用于三管并联SiC MOSFET的驱动电路及功率模块
申请号:CN202511516725
申请日期:2025-10-23
公开号:CN120979408A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明涉及功率半导体器件驱动设计技术领域,具体涉及一种用于三管并联SiC MOSFET的驱动电路及功率模块,包括结构相同的第一电路单元和第二电路单元,第一电路单元和第二电路单元均包括驱动芯片和SiC MOSFET三管并联矩阵,驱动芯片的电源端连接有驱动辅源滤波电路,PWM输入信号经过输入滤波电路与所述驱动芯片的输入端连接,驱动芯片的输出端依次连接驱动栅极网络电路和驱动保护电路、待驱动的SiC MOSFET,SiC MOSFET并联矩阵的输出端经过输出滤波电路后进行输出,本发明可有效降低尖峰电压,提升均流效果和三管并联可靠性。
技术关键词
驱动芯片
电路单元
驱动保护电路
输出滤波电路
输入滤波电路
电容
肖特基二极管
电阻
支路
栅极
功率模块
功率半导体器件
输入端
矩阵
输出端
网络
电源