一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法

本申请提供一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法，该混合功率模块包括：由Si IGBT芯片和SiC MOSFET芯片组成的半桥结构，所述半桥结构的每一桥臂均由Si IGBT芯片和SiC MOSFET芯片并联并反向并联一二极管组成；覆铜陶瓷基板，其用于搭载所述半桥结构，所述覆铜陶瓷基板连接功率端子和信号端子；散热基板，其与所述覆铜陶瓷基板贴合；封装壳体，其与所述散热基板配合对所述覆铜陶瓷基板进行密封封装，其中所述功率端子集成在所述封装壳体上。本申请可缩小Si IGBT芯片与SiC MOSFET芯片的结温差距，降低SiC MOSFET芯片的键合线和焊层因长期的高温和热应力而失效的风险，提高混合功率模块的可靠性。