半导体结构及其测试方法

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半导体结构及其测试方法
申请号:CN202510010249
申请日期:2025-01-03
公开号:CN119890188A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了一种半导体结构及其测试方法,涉及半导体技术领域,能够减小半导体结构的尺寸,提高测试效率,实现半导体结构能够适用于不同性能的测试。半导体结构包括半导体基底、堆叠结构、至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘和至少一个第四测试焊盘。堆叠结构包括层叠设置且相互耦接的多个测试芯片和一个导电层。导电层设置于相邻两个所述测试芯片之间,且与测试芯片耦接。导电层包括沿垂直于半导体基底和堆叠结构的层叠方向间隔设置的多个导电结构;一个第一测试焊盘通过一个导电结构与一个第二测试焊盘耦接;一个第三测试焊盘通过一个导电结构与一个第四测试焊盘耦接。
技术关键词
测试焊盘 半导体结构 半导体基底 堆叠结构 测试结构 导电结构 互连结构 导电层 芯片 测试方法 层叠 转接结构 布线 信号线 功率 热阻 电流 回波
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