一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片

本发明公开了一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片，属于射频及微波集成电路技术领域。采用两级级联放大结构，包括输入端、输入匹配网络、第一级放大网络、级间匹配网络、第二级放大网络、输出匹配网络、输出端及偏置与稳定电路。级间匹配网络集成功分、栅极偏置馈电、稳定性设计及级间阻抗匹配功能，输出匹配网络集成功率合成、漏极偏置馈电及输出阻抗匹配功能，第二级放大网络采用多个GaN管芯并联。通过功能集成减少独立元件与布线空间，显著缩小芯片尺寸；优化信号放大链路与能量传输路径，提升宽频带内输出功率与效率；结合稳定电路与对称布局设计，增强芯片在宽工作频段内的稳定性与可靠性，满足通信系统对高集成度、高性能功率放大器的需求。