摘要
本发明提供了一种金属硬掩膜层的刻蚀方法，该方法包括：提供预设基底；其中，预设基底包括自上向下依次形成的图案化后的光阻层、抗反射层和金属硬掩膜层，抗反射层包括有机抗反射层；重融步骤，向腔室中通入含氩气体刻蚀光阻层使光阻层进行重融；修复步骤，向腔室中通入光阻层的修复气体对光阻层的边缘形貌进行修饰；有机抗反射层刻蚀步，控制射频电源的功率施加方式为脉冲模式，向腔室中通入含氟气体，以图案化后的光阻层为掩膜对有机抗反射层进行刻蚀，直至显露出下一膜层；硬掩膜刻蚀步，向腔室中通入含氯气体刻蚀暴露出的金属硬掩膜层，直至显露出下一膜层。本发明可以有效改善金属硬掩模刻蚀后的线宽粗糙度，提升了芯片的稳定性。
