过去一年，全世界的科技公司都在抢购AI芯片，至今供不应求。

英伟达的产能上不来，很大程度上是因为HBM（高带宽内存）不够用了。每一块H100芯片，都会用到6颗HBM。当下，SK海力士、三星供应了90%的HBM，并且技术领先美光整整一个代际。

这给了韩国人一个史无前例的机会。

三星京畿道内存工厂

众所周知，内存市场一直保持着三足鼎立的格局。其中，韩国人一家独大：三星与SK海力士两家公司，就占去七成市场。但排名第三的美光，仍保有20%以上的市占。双方打得你来我往，各有胜负。

这样的局面，韩国人大抵是不满意的。上世纪80年代，日本曾攻下了9成以上的存储器市场；这种压倒性垄断，才是韩国半导体的终极梦想。

因此在2024年初，韩国政府将HBM定为国家战略技术，并为HBM供应商提供税收优惠，准备再一次发起冲锋。

如今，距离韩国人的梦想照进现实，似乎只有一步之遥了。

冯·诺依曼的“陷阱”

韩国人之所以能等来又一次机会，很大程度上得感谢“计算机之父”冯·诺依曼。

1945年，全球第一台计算机ENIAC问世在即，冯·诺依曼联合同事发表论文，阐述了一种全新的计算机体系架构。其中最大的突破在于“存算分离”——这是逻辑运算单元第一次从存储单元中被剥离出来。

如果把计算机内部想象成后厨，那么存储器就是仓库管理员，而逻辑芯片就是主厨。

最初，“炒菜”和“管仓库”的工作，其实都是由同一块芯片来完成的；随着“存算分离”的概念被提出之后，计算机才开始设立多个“岗位”，并分别“招募人才”。

拆分出来的逻辑芯片，最终演变成了如今的CPU与GPU。

这么做的好处显而易见：存储和逻辑芯片各司其职，如流水线一般丝滑，高效且灵活，很快获得了初代计算机设计者的青睐，并一路延续至今，经久不衰。

这就是如今大名鼎鼎的冯·诺依曼架构。

然而，“计算机之父”冯·诺依曼在设计这套架构时，无意间埋下了一颗“炸弹”。

冯·诺依曼架构如果想要效率最大化，实际有一个隐含的前提：

即存储器到逻辑芯片的数据传输速度，必须大于或等于，逻辑芯片的运算速度。翻译成人话就是，仓库管理员将食材送到后厨的速度，必须比主厨烹饪的速度快。

然而，现实中的科技树，却走上了一条截然相反的道路。

存储器明显跟不上逻辑芯片的迭代速度。以CPU为例，早在上世纪80年代，这种性能失衡已无法忽视。到21世纪前，CPU和存储器之间的性能差距已经在以每年50%的速率持续增长。

这就导致，决定一块芯片算力上限的，不是逻辑芯片的算力，而是内存的传输速度。厨师已经严重溢出，仓管能送多少食材，决定了后厨能出多少菜。

这就是现在常说的“内存墙”，即冯·诺依曼所留下的陷阱。

上个世纪，有人曾试着尝试改变现状，一批全新的芯片架构展露了头角。然而，蚍蜉难以撼树，相较于围绕冯·诺依曼架构建立的生态帝国——包括编程语言、开发工具、操作系统等带来的好处，那一点性能提升，不值一提。

直到人工智能浪潮汹涌而至。

新的火种

以深度学习为基石的人工智能，对算力有着近乎病态的需求。

OpenAI就曾做过一笔测算：从2012年的AlexNet模型到2017年谷歌的AlphaGoZero，算力消耗足足翻了30万倍。随着Transformer问世，“大力出奇迹”已然成为人工智能行业的底层逻辑，几乎所有科技公司都困于算力不足。

作为阻挠算力进步的“罪魁祸首”，冯·诺依曼架构很快被推上了风口浪尖。

AMD是最先意识到问题严重性的科技巨头之一。对此，它采用了一种非常“简单粗暴”的解决方案——把存储器放到离逻辑芯片更近的地方。我把“仓库”建得离“后厨”近一点，送货速度不就提上来了么？

2015年，AMD推出了首款非冯·诺依曼架构的产品

但在当年，AMD这套方案存在一个致命缺陷。

过去，存储通常都通过插槽“外挂”在GPU封装之外，相当于把仓库建在郊区。

然而，AMD为了缩短两者的距离，打算将存储器移到和GPU同一封装内的同一块载板上。但载板面积十分有限，如同寸土寸金的中心城区。传统的内存往往面积又很大，仿佛一个特大型仓库，中心城区显然建不下。

至此，HBM开始登上历史舞台：它使用了纵向堆叠小型DRAM裸片的方式。

我们可以把HBM想象成一座高达12层的超小型仓库。由于仓库面积小，占地需求大大降低，可以顺理成章地搬进中心城区；与此同时，从1楼到12楼，每一层都能存储数据，所以实际性能并没有缩水。

当下，HBM的表面积，只有传统内存的6%。这项新技术，让AMD的技术方案得以成功落地。

于是，AMD向太平洋对岸的SK海力士伸出了橄榄枝。

2015年，AMD推出GPU Fiji，在一块芯片载板上排布了4颗HBM，给了业内一个小小震撼。而搭载Fiji的高端显卡Radeon R9 Fury X，当年在纸面算力上，也第一次超过了英伟达同代的Kepler系列。

虽然从后续市场表现来看，Fiji是一个失败的作品，但没有妨碍HBM的惊鸿一瞥，搅乱一池春水。

少数人的游戏

当全球科技公司都开始押注人工智能，撞开了“内存墙”的HBM，也顺势走上时代舞台的中心。

然而，只有少数人，能从HBM浪潮中分走蛋糕。当下，HBM即将跨入第四代，牌桌却始终凑不齐四个人。截至2023年，有能力生产HBM的厂商仍然只有三家：SK海力士、三星、美光。遗憾的是，这个局面大概率还将保持很久。

三巨头虽然也垄断了传统内存，但在市场景气时，二、三线厂商也能跟着喝上肉汤。可在HBM领域，其余厂商别说喝汤，连桌都上不了。

过高的技术门槛，是造成这种局面的重要原因。

前文曾提到，HBM是一座高楼层的小型仓库；如何实现高楼层的设计，这背后可大有学问。

目前业内采用的技术叫TSV（硅通孔），是当前唯一的垂直电互联技术。通过蚀刻和电镀，TSV贯穿堆叠的DRAM裸片，实现各层的通信互联，可以想象成给大楼安装电梯。

由于HBM的面积实在太小了，导致对TSV工艺的精度有着极其严苛的要求。其操作难度，不亚于用电钻给米粒钻孔。而且，HBM还不止需要“钻一个孔”：随着大楼越造越高，HBM对TSV的需求量也会相应增加。

三巨头在TSV技术上的积累最为深厚，足以轻易甩开云云小厂，稳坐山头。

原因之二，是HBM打破了传统内存IDM的模式，需要依靠外援，自己说了不算。

IDM模式是指，从设计、制造到封装全部由内存厂商一手包办。过去，三星等内存厂商之所以敢发动价格战，正是因为掌握了整个制造流程，可以最大程度挤压利润空间。

但到了HBM，设计、制造还是自己做，可封装这一环节，就必须依赖晶圆代工厂。

HBM毕竟不是一块独立的内存，需要安装到逻辑芯片旁边。这个过程涉及到更精细的操作、更精密的设备，以及更昂贵的材料，只能求助于先进封装技术。当下，只有台积电的先进封装技术达标，三巨头都是它的客户。

台积电的先进封装技术CoWoS

只是台积电的产能相当有限，僧多粥少，三巨头都不够用；新玩家想入局，还得看台积电乐不乐意带上你。

极高的技术门槛，以及对台积电先进封装产能的依赖，HBM大概率只能是少数人的游戏。也正是因为这些特点，让HBM战争的打法，注定与过去的内存战争迥然不同。

重塑游戏规则

众所周知，传统内存的竞争往往围绕价格战展开。因为传统内存是个高度标准化的产品，各家之间性能差距并不大。往往谁的价格更低，谁就能拿到更多订单。

但对HBM来说，技术迭代更快的一方才握有主动权。

因为HBM主要用于AI芯片，其主要卖点就是性能。一块强大的AI芯片，能大幅缩短训练模型的时间。对科技公司而言，只要能尽早将大模型推向市场，多花些“刀乐儿”又何妨？

因此在过去几年，内存厂商一直在围绕技术内卷。

2016年，三星能在HBM市场反超SK海力士，正是因为率先量产了新一代的HBM 2，在技术上跑在了前头。

英伟达的V100芯片，使用了三星的HBM 2

另一方面，抱上一个够粗的大腿，同样也很重要。

因为有能力生产AI芯片的科技公司，全世界数来数去就那么几家，对大客户的依赖度很高。过去几年，SK海力士、三星、美光围绕HBM的比拼，实际比的就是谁抱的大腿更粗。

SK海力士下场最早，一出道就绑定了颇有野心的AMD。可惜AMD的芯片销量不佳，连累SK海力士的HBM一度叫好不叫座。

相比之下，三星就相当“鸡贼”，凭借着率先量产的HBM2，成功抱上了英伟达的大腿，反超了SK海力士。

然而在2021年，SK海力士率先量产了HBM 3，成功将英伟达拉拢到自己的阵营中。如今全球疯抢的AI芯片H100，用的就是SK海力士的HBM。新大腿加持下，SK海力士彻底奠定了“HBM一哥”的地位。

SK海力士供应了H100的HBM

与韩国人相比，美光运气最差，摊上了英特尔。

2016年，美光和英特尔押注了另一条技术路线。蒙头研发了数年，美光才意识到选错了路线。此时，美光已经落后韩国对手整整两个代际。

目前，SK海力士包揽了HBM整体供应的50%，隔壁的三星拿下了40%，美光仅有10%。

受到HBM业务的拉动，去年三季度SK海力士在内存市场的份额暴涨至34.3%，距离超越三星仅有一步之遥。要知道，三星已经在内存市场Top 1的位置坐了30多年了。

然而，拼迭代速度、拼大腿，新的打法，意味着更大的变数。三大厂商，目前看似分出了一二三名，实则各有底牌，正缓缓露出冰山一角。

三巨头的底牌

作为HBM的发明人、如今的第一名，SK海力士最大的底牌，显然是遥遥领先的技术力。

为了彻底杀死比赛，SK海力士准备直接颠覆HBM的设计思路。它计划于2026年量产HBM 4，准备把HBM直接安在GPU顶部，走向真正的3D架构。也就是说，SK海力士准备直接将仓库建在后厨楼上。

乍一看，HBM 4的设计思路似乎并不惊艳。

毕竟HBM的设计初衷，就是为了缩短仓库与后厨的距离；那么干脆把仓库搬到后厨楼上，似乎是个很自然的选择。然而，现实情况却没那么简单。

此前，各大内存厂商之所以没采用这一设计，是因为迟迟解决不了散热：

把HBM装到GPU顶部之后，数据传输的速度确实是更快了，但芯片功耗也会大幅上升，产生更多的热能。如果不能及时散热，将大大降低芯片工作效率，造成性能损耗，颇有种拆东墙补西墙的意味。

因此，如果想实现HBM 4的设计，必须得找到更好的散热方案。

目前来看，SK海力士或许找到了突破口；一旦成功落地，无疑是对友商的降维打击。

SK海力士位于京畿道的工厂

当然，SK海力士的模式也有缺陷——过于依赖台积电了。

前文曾提到，HBM技术高度绑定台积电的先进封装。但在当下，台积电的产能远远跟不上市场的需求，这就给三星留出了二度弯道超车的空间。

三星不仅是存储器市场的最大卷王，同时也是全球第二大晶圆代工厂。台积电有的，三星基本都有，包括先进封装，只是水平稍微差了些。

早在2018年，三星就推出了对标台积电的I-Cube技术，2021年时已经发展到第四代。

目前来看，三星的I-Cube技术显然是不及台积电的CoWoS，毕竟连三星自己都不用。但在台积电产能明显供不应求的当下，I-Cube技术就成了三星拉拢生意的武器。

SK海力士的老搭档AMD，就没能抵抗住“产能的诱惑”，更改了阵营。英伟达据说也有意试水，毕竟台积电的先进封装增产有限，启用三星有助于分散供应风险。

三星的存储工厂

韩国人各有各的张良计，美国人有什么过桥梯？

说实话，到目前为止，美光在HBM的战场上，一直处于被动挨打、从未翻身的局面。经过近几年的追赶，美光总算望见了先头部队的背影，但也仅仅只能跟在韩国人身后“捡漏”。

距离韩国人“一统内存江山”的终极理想，似乎只差最后一步了。

不过，这显然是美国人所不乐于见到的。目前，HBM的大客户们，大多来自美国。美光虽然落后，却未必会完全出局。最新爆料显示，英伟达刚向美光预订了一批HBM 3。

此前，韩国人之所以能在内存市场“百战百胜”，是因为竞争的规则极其明确：即拼产能、成本。内卷向来是韩国人的“舒适区”，毕竟他们血管里流的都是美式咖啡。

然而，HBM是一个不那么“东亚”的产业。它面临着极其严苛的技术竞争，以及随时摇摆的大客户。更多的变数，让韩国人始终无法稳稳占据铁王座。更何况，另一股东方的神秘力量，也在虎视眈眈。

长夜漫漫，韩国人仍然无法安睡。

参考文章：

[1] HBM市场研究报告（2023.12），TrendForce

[2] HBM 成高端GPU标配，充分受益于AI服务器需求增长，广发证券

[3] HBM词条，Semiwiki

[4] HBM会替代DDR，成为计算机内存吗？EET

[5] HBM4 in Development, Organizers Eyeing Even Wider 2048-Bit Interface，Anandtech

[6] SK Hynix, Samsung's fight for HBM lead set to escalate on AI boom，the Korea Economic Daily

[7] HBM Issues In AI Systems，SemiEngineering

[8] 冯诺依曼体系结构，CSDN

[9] 性能之殇：从冯·诺依曼瓶颈谈起，机器之心

[10] HBM促使DRAM从传统的2D加速走向3D，方正证券

文章来自于微信公众号 “ 远川科技评论”，作者 “何律衡”